三星电子新领导上任
三星电子宣布2025年定期人事变动，共有9人，其中2人晋升为总裁，7人职责变更。
海力士
SK海力士量产321层1TB TLC NAND闪存 明年上半年上市
SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士开始量产全球首款321层NAND闪存
SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来，SK海力士首次推出了世界最高的238层NAND，这一次，SK海力士找到了堆叠技术的突破口，成为世界上第一家拥有300层以上N
SK海力士量产321层1Tb TCL 4D NAND闪存，计划2025H1开始供应
SK海力士宣布，量产全球最高的321层1Tb TCL 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士宣布量产321层NAND闪存，明年上半年发货
SK海力士的321层NAND闪存采用了“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士还使用与其前
SK海力士开始量产业界领先的321层NAND闪存
SK海力士于11月宣布1月21日，全球最高321层1Tb三级单元(TLC)4DNAND闪存开始量产。这一里程碑使SK海力士成为NAND闪存行业第一家开始量产超过300层产品的公司，标志着重大的技术进步。
SK海力士引领存储技术新纪元：321层4D NAND闪存量产背后创新之旅
在数字化时代，数据的洪流以前所未有的速度涌动着，对存储技术的需求也日益增长。作为半导体存储领域的领军企业，SK海力士公司再次站在了技术创新的前沿，宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb（太字节）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。
突破300层门槛！SK海力士量产321层堆栈NAND Flash
SK海力士表示，2023年6月量产上代238层堆栈NAND Flash后，现又先推出超过300层堆栈的NAND Flash，突破界线。SK海力士计划2025上半年起，供货321层堆栈产品。
AI芯天下丨SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
韩国首尔，2024年11月21日– SK海力士（或‘公司’，）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
SK海力士量产全球首款321层堆叠3D闪存，Win 11 LTSC推热补丁功能
SK海力士刚刚宣布开始批量生产全球首款321层堆叠3D TLC闪存。去年6月SK海力士以238层堆叠成为当时最高堆叠层数的3D闪存，新宣布的321层堆叠3D TLC闪存的单die容量依然是1Tb，这是为了照顾小容量设备的并发读写性能。由于堆叠层数更高芯片尺寸更
SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
·开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于明年上半年开始供应· 采用“3-Plug”工艺技术突破堆叠极限，与上一代相比，性能和生产效率都有所提升· “加强AI领域存储竞争实力，跃升为‘全方位面向AI的存储器供应商’”
闪存突破300层！
SK海力士表示，从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器，突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起，开始向客户提供321层堆栈的产品，以
SK海力士量产321层顶级闪存，性能飙升13%！
SK海力士公司近期宣布，其全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存已成功进入量产阶段。这款闪存不仅在存储层级上达到了前所未有的高度，还在性能上实现了显著提升。
SK海力士引领科技新高度，321层NAND闪存量产开启存储新篇章
据悉，自2023年6月成功量产238层NAND闪存以来，SK海力士持续引领存储技术的前沿发展。此次推出的321层NAND闪存，不仅标志着技术层面的飞跃，更是全球首次实现超过300层堆叠的NAND闪存大规模生产。
SK海力士开始量产全球首个321层NAND闪存芯片
NAND闪存是一种非易失性存储介质，广泛用于存储卡、USB驱动器、固态驱动器（SSDs）和智能手机中，用于一般存储和传输数据。它垂直堆叠存储单元，分为单层、多层、三层和四层存储单元。
全球首款、突破300层！SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了超过300层的NAND闪存量产。
SK海力士量产321层NAND
SK海力士宣布已经开始量产全球首款基于三级单元的321层4D NAND闪存，容量为1Tb。
SK海力士突破技术壁垒，量产全球最高321层1Tb TLC 4D NAND闪存
SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功实现了全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的量产。这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度。
SK海力士宣布开始量产321层NAND闪存
11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。SK海力士表示，计划从明年上半年开始向客户供应321层产品。